Switching dynamics of nanometer scale Nb2O5 memristor junctions

Nyomtatóbarát változatNyomtatóbarát változat
Típus: 
MSc diplomamunka téma - nanotechnológia és anyagtudomány
Félév: 
2017/18/2.
Témavezető: 
Név: 
Halbritter András
Email cím: 
halbritt@mail.bme.hu
Intézet/Tanszék/Cégnév: 
BME Fizika Tanszék
Beosztás: 
egyetemi tanár, tanszékvezető
Hallgató: 
Név: 
Molnár Dániel
Képzés: 
Fizikus MSc - nanotechnológia és anyagtudomány
Elvárások: 

Advanced experimental skills, decent knowledge of solid state physics

 

  

Leírás: 

The time voltage dilemma is a common property of various meristive systems: whereas at sufficiently large voltages the device should be able to switch to its either state within a very short timescale, lowering the driving voltage the switching process should slow down, such that proper data retention is warranted at low enough readout voltages. This property is also fundamental for potential neuromorphic computing applications. Along the diploma thesis work the applicant will investigate the switching dynamics of memrsitive junctions, in articular Nb2O5 point-contact devices. A special emphasis is put to  the experimental development of a measurement setup, which is capable of ultrafast measurements down to the nanosecond timescale.