Kétdimenziós kristályok családja napjaink nanofizikájának egyik legaktívabban kutatott területe. Mára a grafénen kívül számos anyagból lehet néhány atomsor vastag rétegeket létrehozni, ezek között vannak vezető, szigetelő vagy akár szupravezető anyagok is. Ezen kétdimenziós kristályokból felépített heterostruktúrák új távlatokat nyitnak nanoelektronikai alkalmazások létrehozására. A heteroszerkezetek fontos paramétere az egyes réteg közötti csatolás erőssége. A csatolást egyszerű képben egy alagutazási rátával tudjuk jellemezni, amit több tényező is befolyásolhat: a rétegek távolsága, összetételük, vagy a relatív kristálytani orientációjuk. A csatolás erősségének változtatása komoly kihatással lehet a rétegszerkezet viselkedésére és ezáltal új fizikai jelenségekhez vezethet. Hidrosztatikus nyomás ígéretes alternatívát kínál az alagutazás erősségének a hangolására a rétegek távolságának változtatásán keresztül.

A diplomamunka keretében a jelölt bekapcsolódik kétdimenziós heterostruktúrák létrehozásában és azok nyomás alatti vizsgálatába. Egyrészt olyan heterostruktúrákat fogunk készíteni, amik lehetővé teszik a nyomás hatásának vizsgálatát, pl. eltérő orientációval átfedésbe hozott grafén rétegek. A heteroszerkezeteket 2D szigetelő hBN réteggel fogjuk lefedni, hogy a nyomás közvetítő folyadék ne kerüljön közvetlen kapcsolatba a grafén réteggel. A munka másik része egy új nyomáscella rendszer fejlesztésére fokuszál, amivel az a célunk, hogy nanoáramköröket lehesse a cellába építeni és vizsgálni. A diplomamunka során a jelölt részt fog venni a minták elkészítésében és alacsonyhőmérsékleti elektromos karakterizációjában. A kutatómunka szoros együttműködésben zajlik több nemzetközi partner intézettel.