A naponta létrehozott adatmennyiség exponenciális növekedése és a mesterséges intelligencia hihetetlen fejlődése egyre növekvő igényt támaszt a számítási és az adattárolási kapacitással szemben. Ugyanakkor a hagyományos információs technológiák komoly korlátokkal szembesülnek, beleértve a további méretcsökkentés nehézségét, és a “von Neumann szűk keresztmetszetet”, azaz a lassú adatátvitelt a memória és a feldolgozó egységek között. Ennek megfelelően az új számítási platformok bevezetése rendkívül fontos kutatási és fejlesztési feladat. A közelmúltban számos új lehetőséget javasoltak, melyek közül neuromorfikus számítási feladatok megvalósítására kifejezetten perspektivikus lehetőséget kínálnak az ún. rezisztív kapcsoló memóriák. Ezen eszközök már kifejezetten közel állnak az ipari alkalmazásokhoz: a vezető informatikai vállalatok a FLASH memóriák alternatívájaként már rendelkeznek rezisztív kapcsoló háttértárolókkal, és több kutatólaboratóriumban is kifejlesztettek rezisztív kapcsoló szinapszis-hálózatokat a neurális hálózatok hardveres megvalósítására. Az ilyen szerkezetekben a zaj csökkentése, illetve a fizikai működési mechanizmusok zajméréseken keresztül történő megértése alapvető technológiai jelentőségű. A szakdolgozó feladata a laboratóriumunkban kidolgozott zajmérési technikák [1] megismerése, majd alkalmazása elsősorban Ta2O5 filamentáris rezisztív kapcsoló memóriák kapcsolási küszöbfeszültséghez közeli zajjelenségeinek feltárására.

[1] Balogh, Zoltan ; Mezei, Gréta ; Pósa, László ; Sánta, Botond ; Magyarkuti, András ; Halbritter, András, 1/f noise spectroscopy and noise tailoring of nanoelectronic devices, NANO FUTURES 5, 042002 (2021)