Napjainkra a CMOS alapú információtechnológia évtizedeken átívelő, közel exponenciális kapacitásbővülését biztosító miniatürizációs tendencia rendkívül közel került a szilícium anyagszerkezeti tulajdonságai által megszabott végső határához. A számítástechnikai eszközök integráltsági fokának illetve a működési sebességének további növelése így új koncepciók kidolgozását igényli. Az egyik legígéretesebb alternatívát az olyan, szilárdtest környezetben fellépő, elektromos ellenállás-változással járó önszerveződő jelenségek jelentik, amelyek során a nanométeres mérettartományt és a gyors működést mindössze néhány atom vagy ion jól kontrollálható átrendeződése okozza.

Az ilyen elven alapuló, ú.n. memrisztív eszközök legelterjedtebben vizsgált aktív közegéül két fémes elektróda közé helyezett ionos vezetők szolgálnak. Különöző fém-oxid vékonyrétegek a közelmúltban kerültek a figyelem középpontjába, mint olyan, akár szub-nanoszekundumos rezisztív kapcsolásokat is lehetővé tévő anyagok, amelyek előállítása kompatibilis a már meglévő ipari eljárásokkal, a kémiai- és szerkezeti stabilitásuk pedig jelentősen meghaladhatja a hagyományosan alkalmazott ionos vezetőkét.

A szakdolgozatot készítő hallgató feladata eddig kevésbbé vizsgált Nb₂O₅ memrisztív vékonyrétegek előállítása, stabil Nb/Nb₂O₅/PtIr nanokontaktusok létrehozása és fémes állapotok közötti bipoláris rezisztív kapcsolási jelenségeinek karakterizálása a rétegvastagság függvényében, különös tekintettel az ellenállás-változás időfüggésének tanulmányozására mindkét kapcsolási irányban. Önálló, nagyfrekvenciás eszközfejlesztést is igénylő további célkitűzés az anyagban elérhető legnagyobb kapcsolási sebességek kísérleti vizsgálata.