A hallgató neve: | specializációja: |
A záróvizsgát szervező tanszék neve: Fizika Tanszék |
A témavezető neve:
Dr. Volk János - munkahelye: MTA EK MFA Mikrotechnológiai és Félvezető Karakterizáció Osztály - beosztása: tudományos főmunkatárs - email címe: volk.janos@energia.mta.hu |
A konzulens neve:
Dr. Halbritter András Ernő - tanszéke: Fizika Tanszék - beosztása: egyetemi tanár, tanszékvezető - email címe: halbritt@mail.bme.hu |
A kidolgozandó feladat címe: Nanoszál vezérelt vegyületfélvezető tranzisztor alapú érzékelők |
A téma rövid leírása, a megoldandó legfontosabb feladatok felsorolása: A félvezető heteroátmeneteken kialakított kétdimenziós elektrongáz (2DEG) számos olyan fizikai tulajdonsággal rendelkezik (magas mozgékonyság, erős elektron korreláció stb.), mely a kísérleti kvantumfizika és több modern elektronikai eszköz számára egyaránt fontos. Szemben a hagyományosnak tekinthető AlGaAs/GaAs heteroátmenetekkel, a wurtzit kristályszerkezetű AlGaN/GaN rétegszerkezetekben nincs szükség kémiai adalékolásra. A GaN felületén jelenlévő nagy sűrűségű 2DEG az AlGaN-re jellemző erős spontán polarizáció és a két anyag közötti rácsállandó illesztetlenség hatására létrejövő piezoelektromos polarizáció eredménye. Ebből adódóan a töltéshordozó koncentráció a szokásos kapuelektródán kívül egy külső mechanikai ingerrel vagy elektromos töltéssel lokálisan is megváltoztató, ami az alatta kialakított tranzisztor szerkezet elektromos áramának mérésével rendkívül érzékenyen detektálható. Jelen munka célja, hogy a AlGaN/GaN heteroátmenetes térvezérelt tranzisztorok (H-FET) csatornájára ZnO nanoszálakat növesztve az eszköz nyelő-forrás (drain-source) áramát mechanikai vagy elektrokémiai úton vezéreljük. Ily módon egyedi nanoszálak növesztésével egy új típusú, minden korábbinál kisebb integrált irányfüggő erőmérő (Force-FET) hozható elvben létre. Hasonló módon, nem feltétlenül egyedi, de nagy fajlagos felületű nanoszál tömbök létrehozásával rendkívül érzékeny elektrokémiai vagy biológiai érzékelés valósítható meg. A munka az alábbi részfeladatokból áll: i) nanoszálak pozícionált növesztésének kidolgozása H-FET csatorna felületén; ii) a létrejövő eszköz elektromos minősítése; iii) a mechanikai és kémiai érzékelés demonstrálása; iv) az eszköz anyagi és geometriai paramétereinek optimalizálása, ill. az elérhető érzékenység és a működési határok feltérképezése; v) az eszköz elméleti szimulációja véges elem módszerrel. Ehhez az összetett munkához – a külföldi kutatási partnerek által készített AlGaN/ GaN heteroátmeneteken kívül – minden mintakészítési és minősítő technika az intézeten belül elérhető: elektronsugaras és fotolitográfia, reaktív ionmaró, fémleválasztó vákuum berendezés, vezetési tulajdonságok mérésére alkalmas atomi erőmikroszkóp (c-AFM), pásztázó elektronmikroszkóp mikromanipulátorokkal stb.. Az elvégzendő kutatási téma részben kapcsolódik a 2013-2017. között futó „High-resolution shape recognition with vertical piezoelectric nanowire matrices” c. európai konzorciumi együttműködéshez. |
A záróvizsga kijelölt tételei: |
Dátum: |
Hallgató aláírása: |
Témavezető aláírása*: |
Tanszéki konzulens aláírása: |
A témakiírását jóváhagyom (tanszékvezető aláírása): |
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Természettudományi Kar |
1111 Budapest, Műegyetem rakpart 3. K épület I. em. 18. www.ttk.bme.hu |