Az elmúlt időszak kutatásai rámutattak, hogy a jelenlegi félvezető eszközöknél lényegesen kisebb, közeli atomi méretű memóriaegységek hozhatók létre rezisztív kapcsoláson alapuló memrisztorok segítségével. A memrisztorok olyan passzív áramköri elemek, amiknek az ellenállása függ az előéletüktől. Egy ionosan vezető nanokontaktusban megfelelően nagy feszültség hatására kialakítható egy jól vezető, fémes nanovezeték a két elektróda között, míg ellentétes polaritású feszültséggel ez a nanovezeték lebontható, azaz megfelelően nagy feszültség segítségével információt írhatunk egy parányi nanokontaktusba, míg alacsony feszültségnél a memória állapotának megváltoztatása nélkül kiolvashatjuk az információt. Mivel a memrisztorok analóg memóriák, így az idegrendszer modellezésére is kiválóan használhatók.

 

A szakdolgozó közel atomi méretű memrisztorok kutatásába kapcsolódik be újszerű memrisztív rendszerek kapcsolási dinamikájának kísérleti vizsgálatán keresztül.