Diplomamunka feladat a Fizikus mesterképzési szak hallgatói számára

A hallgató neve: Badeeb Leila specializációja: Fizikus MSc - nanotechnológia és anyagtudomány
A záróvizsgát szervező tanszék neve: BME Fizikai Intézet, Fizika Tanszék
A témavezető neve: Tóth Sára
- munkahelye: Semilab Félvezető Fizikai Laboratórium Zrt.
- beosztása: vezető alkalmazásfejlesztő kutató
- email címe: sara.toth@semilab.hu
A konzulens neve: Szász Krisztián
- tanszéke: BME Fizikai Intézet, Fizika Tanszék
- beosztása: tudományos munkatárs
- email címe: szasz.krisztian@mail.bme.hu
A kidolgozandó feladat címe: Szilíciumkristályban mesterségesen létrehozott hibák kiterjedésének vizsgálata Raman-spektroszkópiával
A téma rövid leírása, a megoldandó legfontosabb feladatok felsorolása:

A mikroprocesszorok alapját nyújtó, szilíciumra épülő félvezetőipar kétségtelenül napjaink egyik leggyorsabban fejlődő iparága. Habár a közelmúltban számos olyan új anyag feltűnt, melyek különleges tulajdonságaikkal a jövőben felvehetik a versenyt a szilíciummal, ezek iparba való integrációja még nem megoldott.

A szilíciumhordozóra épített áramköri elemek hatékonysága szempontjából rendkívül fontos a gyártás során keletkező kristályhibák detektálása és számának minimalizálása. Az ilyen pont- (vakancia, szennyező atom), vonal- (diszlokáció) vagy felületi (törés, szemcsehatár) hibák környezetében a kötések torzulása miatt többek között mechanikai feszültség keletkezik, amely a rács gyengülését, kritikus esetben a kristály törését eredményezheti. Ezen felül a rácshibák környezetében megváltoznak az alkalmazás szempontjából kritikus elektromos vagy hővezetési tulajdonságok is. Ezért fontos a szilíciumhordozóban a mintaelőállítás során elkerülhetetlenül keletkező hibák koncentrációjának és kiterjedésének minél pontosabb ismerete. A kristályhibák környezetében a kötések torzulása miatt fellépő, lokálisan kialakult feszültségtér jól vizsgálható az egyik legelterjedtebb roncsolásmentes módszer, a Raman-spektroszkópia segítségével.

Az MSc dolgozat célja olyan mintasorozat készítése, melyben a szilícium felületén mesterségesen hozunk létre hibákat nanoindentálással, majd ezen hibák által generált feszültsémező feltérképezése Raman-spektroszkópia felhasználásával.

A záróvizsga kijelölt tételei:
Dátum:
Hallgató aláírása:
Témavezető aláírása*:
Tanszéki konzulens aláírása:
A témakiírását jóváhagyom
(tanszékvezető aláírása):
*A témavezető jelen feladatkiírás aláírásával tudomásul veszi, hogy a BME TVSZ 145. és 146.§ alapján az egyetem a képzési célok megvalósulása érdekében a szakdolgozatok, illetve diplomamunkák nyilvánosságát tartja elsődlegesnek. A hozzáférés korlátozása csak kivételes esetben, a dékán előzetes hozzájárulásával lehetséges.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem
Természettudományi Kar
1111 Budapest, Műegyetem rakpart 3. K épület I. em. 18.
www.ttk.bme.hu