Szupravezetőn alapuló elektronikai áramkörök lényegesen kedvezőbb szuperszámítógépek létrehozását tennék lehetővé, mivel a napjainkban használt félvezető CMOS technológiához képest sokkal gyorsabb és kisebb fogyasztású chipek készíthetőek segítségükkel. A technológia elterjedését a chipek alkotó elemeinek nagy mérete nem tette eddig lehetővé. Az elmúlt években egy meglepő új szupravezető jelenséget figyeltek meg, ami megoldást jelenthet szupravezető chipek felskálázására.
Azt találták, hogy egy vékony szupravezető vezetékben a szuperáram megszüntethető a közelébe helyezett kapuelektródára kapcsolt feszültség segítségével. A jelenség meglepő, hiszen a nagy elektronsűrűség miatt a szupravezető elektronjainak le kellene árnyékolnia a külső potenciált, így szupravezető állapotra nem kellene kihatással lennie az alkalmazott feszültségnek.

A szakdolgozat célja különböző geometriájú szupravezető nanovezetékek készítése és a szupravezetés kapuzásának tanulmányozása. Szupravezető nanovezetékek készülnek, egyfelől félvezető nanopálcákból, melyekre MBE berendezésben szupravezető héj lett növesztve, másrészt elektron sugaras litográfiával kialakított maszk segítségével párologtatott fém rétegből. Az elkészült nanoáramkörökön kriogenikus környezetben méréseket végzünk, hogy a kapuelektródákra kapcsolt feszültség hatását vizsgáljuk a vezeték szupravezető áramára, a kapuelektróda és a szupravezető nanovezeték közötti szivárgási áram tanulmányozásával együtt. További feladat a mérési eredmények szisztematikus elemzése, elméleti modellekkel történő összevetése, hogy a jelenséget eredetét jobban megértsük. A kutatómunka EUs együttműködési hálózat keretében zajlik.