A félvezetőiparban az ion-implantált szilíciumszeletek vizsgálata történhet fotomodulált reflexióváltozáson (photo-modulated reflection, PMR) alapuló méréssel. Ennek során az ún. pumpáló lézerrel reflexióváltozást idézünk elő, amit egy másik (probe) lézerrel mérünk meg. A módszer érintés- és roncsolásmentes. A kapott PMR jel az anyag felületén és annak közelében lévő mikroszerkezettől függ (~10 um mélységig), ezért korrelál az ion-implantáció összes beállítható paraméterével, pl. a besugárzási dózissal, kristályrácshoz viszonyított beesési szöggel. A PMR jelet meghatározó ill. befolyásoló paraméterek terén sok kérdés vár még megválaszolásra. További információ a mérésről: https://semilab.com/category/products/photo-modulated-reflectivity-measurement

A jelölt feladata: a PMR méréstechnika megértése, majd a módszer kiterjesztéséhez szükséges mérések kidolgozása, elvégzése és validálása; ezek alapján HW/SW fejlesztések javaslata és kivitelezésükben való részvétel.