A hallgató neve: Fehérvári János Gergő | specializációja: Fizika BSc - alkalmazott fizika |
A záróvizsgát szervező tanszék neve: Fizikai Intézet, Fizika Tanszék |
A témavezető neve:
Török Tímea Nóra - tanszéke: Fizikai Intézet, Fizika Tanszék - beosztása: doktorandusz - email címe: torok.timea@mail.bme.hu |
A kidolgozandó feladat címe: Sztochasztikus jelenségek rezisztív kapcsoló memóriákban |
A téma rövid leírása, a megoldandó legfontosabb feladatok felsorolása: A rezisztív kapcsoló memóriák (memrisztorok) olyan eszközök, amelyek ellenállása programozható, azaz ellenállásuk tetszőlegesen változtatható az eszköz elektródáira kapcsolt elektromos jelekkel [1]. A memrisztorok ellenállása ezáltal információt hordoz, ráadásul az eszközök nem-illékony memóriaként hasznosíthatóak: az ellenállás kis jelszinten mérhető annak megváltozása nélkül. A rezisztív kapcsolás során az elektródák között található, kezdetben szigetelő vagy félvezető anyagban lokális anyagszerkezet-változás megy végbe, és ennek eredményeképp megváltozik az eszköz ellenállása. Az ellenállás változását rendszerint egy önszerveződő folyamatban kialakuló, fémes vezetési tulajdonságú filamentum okozza, kapcsolatot létesítve az eszköz elektródái között. A rezisztív kapcsoló memóriák közé tartozó fázisváltó memóriákban az ellenállásváltozás az aktív közeg kristályos/amorf állapotához köthető [2]. A sztochasztikus működésű SiOx alapú rezisztív kapcsoló memóriák gazdag kapcsolási időskáláinak [3] részletes feltárása elősegíti a rezisztív kapcsolás hátterében álló mikroszkopikus fizikai folyamatok megértését. A szakdolgozatot készítő hallgató feladata grafén/SiOx/grafén fázisváltó memóriák kísérleti vizsgálata, ami magában foglalja az eszközök sztochasztikus viselkedésének tanulmányozására irányuló mérések tervezését, megvalósítását, illetve az adatfeldolgozást és az eredmények értelmezését. Ezen túlmenően célunk olyan probabilisztikus elvű számítási algoritmus keresése, ami hasznosítja a memrisztorok eredendően sztochasztikus természetét [4]. Irodalom: [1] J. J. Yang et al. Memristive devices for computing. Nature Nanotechnology 8, 13-24 (2013). |
A záróvizsga kijelölt tételei: |
Dátum: |
Hallgató aláírása: |
Témavezető aláírása*: |
Tanszéki konzulens aláírása: |
A témakiírását jóváhagyom (tanszékvezető aláírása): |
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Természettudományi Kar |
1111 Budapest, Műegyetem rakpart 3. K épület I. em. 18. www.ttk.bme.hu |