A töltéshordozó dinamika vizsgálatára egy általánosan használt módszer a fotoindukált vezetőképesség időbeli változásának felvétele. Ez egy kiforrott vizsgálati módszer ideálisan viselkedő kristályos félvezető anyagok esetén, mint például a Si, Ge, GaAs, és sok egyéb félvezető anyag. Viszont a kijelzőkben  használt vékonyréteg tranzisztorok alapanyagául szolgáló félvezetőrétegek esetén ugyan a mérés eredményt szolgáltat, azonban annak helyes kiértékelése, illetve az eredményből levonható következtetések közel sem egyértelműek. Ennek oka hogy az ilyen rétegek közel sem tekinthetők egykristályosnak még mikroszkopikus tartományokban sem (nanokristályos Si, illetve amorf indium-gallium-cink-oxid, IGZO), és ilyen esetekben a lecsengési görbék nem kezelhetőek tiszta rekombinációs folyamatokként. Mivel a méréstechnika használata az ipari használatban széles körben elterjedt, ezért az eredmények mélyebb megértése fontos kutatási feladat. A hallgató feladata a lecsengési görbék vizsgálata a rendelkezésre álló anyagok és a mérés beállításainak (pl. gerjesztő lézer intenzitása, ismétlési frekvenciája) széles tartományában, illetve annak részletes analízise a görbe különböző módszerrel való kiértékelésére vonatkozóan. Az eredmények várhatóan betekintést nyújtanak a töltéshordozó dinamikát befolyásoló mechanizmusokba, melyből az anyag elektromos minőségére vonatkozó következtetések vonhatók le.