Az elmúlt években az anyagtudomány hatalmas fejlődésen ment át a 2D heteroszerkezetek megjelenésének köszönhetően. Az ún. van der Waals stacking (réteg egymásra-helyezés) segítségével olyan újfajta anyagok hozhatók létre, amik eddig kristály formában nem voltak elérhetők, mint pl. szupravezető-mágneses szerkezetek, vagy csavart grafén rétegek. Ezen szerkezetekben az újfajta anyagi tulajdonságok a rétegek közötti kölcsönhatás eredményeként állnak elő, ezért pár éve ennek a rétegek közötti kölcsönhatás erősségének hangolását tűztük ki célul a kvantum elektronika laborban. Az elmúlt években kifejlesztettünk egy olyan nyomás-cella rendszert, amivel a réteg távolság változtatásán keresztül a rétegek közti kölcsönhatás is hangolható. A rendszerben elektromos transzport méréseket folytatunk, amiből rengetek információ kinyerhető, azonban topológikus rendszerek vizsgálatában fontos lenne a rendszer állapotsűrűségének vagy elektronikus kompresszibilitásának mérése.

A jelölt a diplomamunka során részt venne egy olyan kapacitás híd alapú rendszer kifejlesztésében, amit a nyomás-cella rendszerbe integrálva, a minták állapotsűrűségének meghatározására használhatunk. Itt a kapu elektróda felől mérve a kapacitást a geometriai kapacitáson kívül, az állapotsűrűség is megjelenik árnyékolási effektusok révén. A jelöltnek lehetősége lesz a minta-készítési folyamatba is bekapcsolódni. A rendszert csavart grafén rendszereken vizsgálnánk, illetve kvantum-Hall rendszerekben vizsgálnánk a ciklotron gapek megjelenését. A mintákat alacsony hőmérsékleten, nyomás alatt vizsgáljuk. A munka több európai egyetemmel szoros együttműködésben történik.