A grafén a kétdimenziós anyagok legjobban tanulmányozott képviselője. Bár az egyrétegű grafén vizsgálata rengeteg izgalmas új jelenség felfedezéséhez vezetett, a pár rétegű grafén/grafit szerkezetek további izgalmas alkalmazásokkal kecsegtetnek. Míg egyrétegű grafénban nincs tiltott sáv és az alacsony állapotsűrűség miatt a korrelációs effektusok is elhanyagolhatóak, addig a néhány réteg vastag kristályokban külső elektromos térrel tiltott sávot lehet nyitni, illetve a nagy állapotsűrűség miatt alacsony hőmérsékleten korrelációs effektusok is megfigyelhetőek. Transzport mérések mellett a kvantum-kapacitás mérések (állapotsűrűség mérések) is igen fontos információt szolgáltathatnak ezekről az effektusokról.

A kísérleti munka során a jelölt bekapcsolódik egy híd-kapcsoláson alapuló kapacitás mérő fejlesztésébe. Továbbá részt vesz ezen struktúrák létrehozásában, az áramkörök tervezésében.  A mérőrendszerrel többrétegű grafén méréseket fog végezni alacsony hőmérsékleten. A munka több európai egyetemmel szoros együttműködésben történik.