A szupravezető áramkörök alkalmasak lehetnek nagyon gyors kapcsolású, kis fogyasztású elektronikai eszközök létrehozására. Az egyik legnagyobb kihívás ezen eszközök kis méretben való megvalósítása illetve a félvezető CMOS technológiával való kombinálásuk. Nemrégiben egy meglepő új szupravezető jelenséget figyeltek meg, ami megoldást jelenthet a fenti problémákra. Az elmúlt években nagy figyelmet keltett  a szupravezető FET-nek elnevezett nanoszerkezet, amiben egy vékony szupravezető fémben folyó szuperáram nagysága egy a vezeték közelében lévő kapuelektróda feszültségének hangolásával változtatható. A jelenség oka nem teljesen megértett még, több versengő elmélet található az irodalomban. Ezt a jelenséget nemrégiben mi is megfigyeltük félvezetőre növesztett Ta és Al rétegekben.

A szakdolgozat célja különböző geometriájú szupravezető nanovezetékek készítése NbTiN szupravezetőből és ezek alacsony hőmérsékleti karakterizációja. A mérések során vizsgálni fogjuk a szuperáram kapufeszültséggel való hangolhatóságát illetve a kapu és a szupravezető közötti szivárgási áram jelentőségét is. A cél annak is a megvizsgálása, hogy lehetséges-e ilyen egységek kombinálásával egyszerű logikai kapukat létrehozni. A kutatómunka EUs együttműködési hálózat keretében zajlik.