A félvezetőipari chipgyártási technológia fejlődésében nagy ugrást jelentett amikor a planáris struktúrákról többrétegű, 3D-s alakzatokra tértek át. Manapság ezek a 3D stackek több mint 100 réteget - fém, félvezető és szigetelő - tartalmazhatnak. Az elkészült struktúrák kihozatala szempontjából kritikus az elkészült félvezető-szigetelő határátmeneten kialakuló csapda állapotok felületi sűrűsége (Dit), mivel közvetlenül befolyásolja a kapcsolási sebességet és a kapcsolási feszültség időbeli stabilitását. A Dit vizsgálatára a kapacitás-feszültség mérésen alapuló technológiák adnak lehetőséget:

-gyártási alapanyag vizsgálat esetén elsősorban párologtatott fémkontaktussal ellátott MOS struktúrákkal vagy higany segítségével létrehozott ideiglenes fémkontaktuson keresztüli karakterizálással

-a chipgyártás gyártásközi monitorozásában - a tisztasági követelmények és a chipek közötti tesztpadeken való mérésekhez - egy új típusú technológiára van szükségünk

Erre az ipari applikációra az elasztikus fémtűvel ellátott kapacitás-feszültség mérő készülék (FCV) alkalmas jelölt lehet. Ezen technológia nagy előnye a kis kontaktusterület, illetve a nem roncsoló, szennyezésmentes kontaktusformálás, ami lehetővé teszi a chipek közötti tesztpadeken való vizsgálatra.
A diplomamunka célja az FCV technológia összevetése az iparban elterjedt higanykontaktusos CV mérőkészülékkel (MCV), elsősorban fókuszálva a félvezető-szigetelő határfelületen lévő állapotok vizsgálatára.
A jelölt feladata:

-A Dit mérésére alkalmas méréstechnika megismerése és felkészítése kalibráló mintasor minősítésére

-Az eljárás validálása MCV-vel való korreláció vizsgálatával

-Mérési pontosság javítása a mérést zavaró különböző hatások figyelembevételével

-A Dit karakterizálás kiterjesztése több frekvencián való méréssel