A vanádium-dioxid (VO₂) az egyik legintenzívebben kutatott, ún. erősen korrelált elektronszerkezetű anyag, melynek mind elektromos vezetése, mind optikai tulajdonságai jelentősen megváltoznak a félvezető-fémes átalakulás során. Ennek köszönhetően ígéretes alkalmazása lehet az intelligens ablaküvegektől kezdve, a nanoelektronikai alapanyagon keresztül, egészen a mesterséges izomig. A VO₂ félvezető-fém átalakulása külső hatással  -pl. elektromos térrel, mechanikai feszültséggel, fénnyel, vagy hőközléssel- indukálható. Az alkalmazás szempontjából fontos lenne nemcsak külön, de egymással kombinálva is megvizsgálni ezeknek a gerjesztéseknek a hatását az átalakulás viselkedésére. A jelen MSc munka keretében ilyen szisztematikus vizsgálatot tűzünk ki célul. A mérendő VO₂ vékonyrétegek vákuumporlasztással készülnek a kutatás helyszínéül szolgáló Nanoérzékelők csoportjában. A vizsgálatokban fontos szerepe van a pásztázó szondás mikroszkópiának (SPM), amelynek különböző üzemmódjai révén -pl. atomierő mikroszkópia (AFM), elektromos erő mikroszkópia (EFM) és vezetőképességi atomierő mikroszkópia (cAFM)- nanométeres felbontásban, in situ és ex situ követhetők a változások mind a felületi morfológiában, a töltéseloszlásban, valamint az elektromos vezetésben. A strukturális változások követésére a Raman spektroszkópia mellett Röntgen diffrakció és transzmissziós elektron mikroszkópia lehet alkalmas. A hallgató feladata a szükséges vizsgálati módszerek és technikák elsajátítása, a mérési elrendezések és eszközök kidolgozása, valamint a mérések elvégzése és kiértékelése. A munka végcélja egy hatékony módszer kidolgozása a VO₂ vékonyréteg átalakulási paramétereinek szabályozására és finomhangolására.